IRFHM8228TRPBF - MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN

codice articolo del costruttore

IRFHM8228TRPBF

Numero parte interna

AX-IRFHM8228TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1239770 Pieces

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Specifiche per IRFHM8228TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFHM8228TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 19A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1667pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 34W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFH , IRFHM82

Documenti per IRFHM8228TRPBF

Schede tecniche : IRFHM8228TRPBF.pdf

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