SI7129DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

codice articolo del costruttore

SI7129DN-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SI7129DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1000435 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.28044~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha SI7129DN-T1-GE3 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per SI7129DN-T1-GE3. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per SI7129DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI7129DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3345pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

temperatura di esercizio : -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI712 , SI7129D

Documenti per SI7129DN-T1-GE3

Schede tecniche : SI7129DN-T1-GE3.pdf

Prodotti correlati per SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Numero parte	Marca	Descrizione
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 14KV SCREW.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
WF165336WQ75233BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF165335WL10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 16KV SCREW.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.