IRFR9N20DTRL - MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

codice articolo del costruttore

IRFR9N20DTRL

Numero parte interna

AX-IRFR9N20DTRL

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

64600 Pieces

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Specifiche per IRFR9N20DTRL

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFR9N20DTRL

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 86W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D-Pak

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFR , IRFR9N

Documenti per IRFR9N20DTRL

Schede tecniche : IRFR9N20DTRL.pdf

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