FDB15N50 - MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FDB15N50

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDB15N50
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : FDB15N50.pdf

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