RFD3055LESM - MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA

codice articolo del costruttore

RFD3055LESM

Numero parte interna

AX-RFD3055LESM

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

65515 Pieces

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Specifiche per RFD3055LESM

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RFD3055LESM

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 8A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 38W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252AA

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per RFD3055LESM

Schede tecniche : RFD3055LESM.pdf

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