IRFR120ATM - MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRFR120ATM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
7832 Pieces
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Specifiche per IRFR120ATM
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRFR120ATM
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (massimo) : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 32W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252AA
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRFR120ATM
Schede tecniche : IRFR120ATM.pdf
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