HN3C10FUTE85LF - RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
59946 Pieces
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Specifiche per HN3C10FUTE85LF
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
HN3C10FUTE85LF
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Transistor Type :
2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
12V
Frequenza - Transizione :
7GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) :
1.1dB @ 1GHz
Guadagno :
11.5dB
Potenza - Max :
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 20mA, 10V
Corrente - Collector (Ic) (Max) :
80mA
temperatura di esercizio :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore :
US6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per HN3C10FUTE85LF
Schede tecniche :
HN3C10FUTE85LF.pdf
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