SI2305ADS-T1-E3 - MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

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MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Stato RoHS
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Specifiche per SI2305ADS-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI2305ADS-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 4V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
temperatura di esercizio : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI230 , SI2305A

Documenti per SI2305ADS-T1-E3

Schede tecniche : SI2305ADS-T1-E3.pdf

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