CMH04(TE12L,Q,M) - DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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3778640 Pieces
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Specifiche per CMH04(TE12L,Q,M)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : CMH04(TE12L,Q,M)
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : DIODE GEN PURP 200V 1A MFLAT
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 980mV @ 1A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOD-128
Pacchetto dispositivo fornitore : M-FLAT (2.4x3.8)
Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 150°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : CMH04 , CMH04(TE

Documenti per CMH04(TE12L,Q,M)

Schede tecniche : CMH04(TE12L,Q,M).pdf

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