BSS126H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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9848 Pieces
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Specifiche per BSS126H6327XTSA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSS126H6327XTSA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
Serie :
SIPMOS®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
21mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
2.1nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
28pF @ 25V
Caratteristica FET :
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) :
500mW (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-23-3
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSS126H6327XTSA1
Schede tecniche :
BSS126H6327XTSA1.pdf
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