IPB036N12N3GATMA1 - MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

codice articolo del costruttore

IPB036N12N3GATMA1

Numero parte interna

AX-IPB036N12N3GATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

122375 Pieces

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Specifiche per IPB036N12N3GATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPB036N12N3GATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 120V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 211nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13800pF @ 60V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-7

Pacchetto / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPB03 , IPB036N1

Documenti per IPB036N12N3GATMA1

Schede tecniche : IPB036N12N3GATMA1.pdf

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