APTC90DAM60T1G - MOSFET N-CH 900V 59A SP1
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
17720 Pieces
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Specifiche per APTC90DAM60T1G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
APTC90DAM60T1G
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Serie :
CoolMOS™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
59A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
540nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
13600pF @ 100V
Caratteristica FET :
Super Junction
Dissipazione di potenza (max) :
462W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SP1
Pacchetto / caso :
SP1
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per APTC90DAM60T1G
Schede tecniche :
APTC90DAM60T1G.pdf
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