2SK536-TB-E - MOSFET N-CH 50V 0.1A

codice articolo del costruttore

2SK536-TB-E

Numero parte interna

AX-2SK536-TB-E

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 50V 0.1A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1956180 Pieces

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Specifiche per 2SK536-TB-E

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SK536-TB-E

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 50V 0.1A

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 15pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 200mW (Ta)

temperatura di esercizio : 125°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SC-59

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2SK , 2SK53

Documenti per 2SK536-TB-E

Schede tecniche : 2SK536-TB-E.pdf

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