2SK536-TB-E - MOSFET N-CH 50V 0.1A
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-2SK536-TB-E
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1956180 Pieces
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Specifiche per 2SK536-TB-E
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
2SK536-TB-E
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 50V 0.1A
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (massimo) :
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
15pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
200mW (Ta)
temperatura di esercizio :
125°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SC-59
Pacchetto / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per 2SK536-TB-E
Schede tecniche :
2SK536-TB-E.pdf
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