SI2319DS-T1-E3 - MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
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MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI2319DS-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI2319DS-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 82 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 20V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 750mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI2319DS-T1-E3
Schede tecniche : SI2319DS-T1-E3.pdf
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