IRLML0060TRPBF - MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
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MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IRLML0060TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRLML0060TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 92 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.25W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : Micro3™/SOT-23
Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRLML0060TRPBF
Schede tecniche : IRLML0060TRPBF.pdf
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