SI1433DH-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

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MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Stato RoHS
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Specifiche per SI1433DH-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI1433DH-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 950mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SC-70-6 (SOT-363)
Pacchetto / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI143 , SI1433D

Documenti per SI1433DH-T1-GE3

Schede tecniche : SI1433DH-T1-GE3.pdf

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