1N5553US - DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-1N5553US
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
42990 Pieces
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Specifiche per 1N5553US
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
1N5553US
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
800V
Corrente: media rettificata (Io) :
3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 9A
Velocità :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
1µA @ 800V
Capacità @ Vr, F :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore :
B, SQ-MELF
Temperatura operativa - Giunzione :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per 1N5553US
Schede tecniche :
1N5553US.pdf
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