TPAR3J S1G - DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A

codice articolo del costruttore

TPAR3J S1G

Numero parte interna

AX-TPAR3J S1G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1931615 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.145248~~

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Specifiche per TPAR3J S1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPAR3J S1G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Avalanche

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 3A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 3A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 120ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F : 58pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-277A (SMPC)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TPA , TPAR3

Documenti per TPAR3J S1G

Schede tecniche : TPAR3J S1G.pdf

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