IRC630PBF - MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5

codice articolo del costruttore

IRC630PBF

Numero parte interna

AX-IRC630PBF

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

68180 Pieces

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Specifiche per IRC630PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRC630PBF

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 25V

Caratteristica FET : Current Sensing

Dissipazione di potenza (max) : 74W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-5

Pacchetto / caso : TO-220-5

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per IRC630PBF

Schede tecniche : IRC630PBF.pdf

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