FDD3510H - MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

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MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
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Specifiche per FDD3510H

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDD3510H
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel, Common Drain
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 40V
Potenza - Max : 1.3W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252-4L
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : FDD3510H.pdf

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