IXFH80N65X2-4 - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore

IXFH80N65X2-4

Numero parte interna

AX-IXFH80N65X2-4

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

55182 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IXFH80N65X2-4

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFH80N65X2-4

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH

Serie : HiPerFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8300pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 890W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247-4L

Pacchetto / caso : TO-247-4

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXFH , IXFH80

Documenti per IXFH80N65X2-4

Schede tecniche : IXFH80N65X2-4.pdf

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