1N6622US - DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-1N6622US
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
48870 Pieces
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Specifiche per 1N6622US
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
1N6622US
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
660V
Corrente: media rettificata (Io) :
1.2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.4V @ 1.2A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
500nA @ 660V
Capacità @ Vr, F :
10pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitore :
A-MELF
Temperatura operativa - Giunzione :
-65°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per 1N6622US
Schede tecniche :
1N6622US.pdf
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