FESB8BT-E3/81 - DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
589825 Pieces
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Specifiche per FESB8BT-E3/81
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FESB8BT-E3/81
fabbricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione :
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Corrente: media rettificata (Io) :
8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 8A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-263AB
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FESB8BT-E3/81
Schede tecniche :
FESB8BT-E3/81.pdf
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