DMTH10H015SPSQ-13 - MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50

codice articolo del costruttore

DMTH10H015SPSQ-13

Numero parte interna

AX-DMTH10H015SPSQ-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

732050 Pieces

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Specifiche per DMTH10H015SPSQ-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMTH10H015SPSQ-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 30.1nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2343pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta), 55W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI5060-8

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMTH1 , DMTH10H0

Documenti per DMTH10H015SPSQ-13

Schede tecniche : DMTH10H015SPSQ-13.pdf

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