US1MHM2G - DIODE GEN PURP 1A DO214AC

codice articolo del costruttore

US1MHM2G

Numero parte interna

AX-US1MHM2G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6398560 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.043848~~

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Specifiche per US1MHM2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : US1MHM2G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : -

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 75ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AC (SMA)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : US , US1M

Documenti per US1MHM2G

Schede tecniche : US1MHM2G.pdf

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