JAN1N5614US - DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-JAN1N5614US
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
55566 Pieces
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Specifiche per JAN1N5614US
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : JAN1N5614US
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/427
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 3A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 500nA @ 200V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitore : D-5A
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 200°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per JAN1N5614US
Schede tecniche : JAN1N5614US.pdf
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