SI7159DP-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI7159DP-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI7159DP-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5170pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 5.4W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI715 , SI7159D

Documenti per SI7159DP-T1-GE3

Schede tecniche : SI7159DP-T1-GE3.pdf

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