APT80SM120J - POWER MOSFET - SIC

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Numero parte interna
fabbricante
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POWER MOSFET - SIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per APT80SM120J

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APT80SM120J
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : POWER MOSFET - SIC
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 51A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 235nC @ 20V
Vgs (massimo) : +25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 273W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227
Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : APT , APT80

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Schede tecniche : APT80SM120J.pdf

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