DMG7N65SJ3 - MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

codice articolo del costruttore

DMG7N65SJ3

Numero parte interna

AX-DMG7N65SJ3

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

485195 Pieces

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Specifiche per DMG7N65SJ3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMG7N65SJ3

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 886pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 125W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-251

Pacchetto / caso : TO-251-3, IPak, Short Leads

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per DMG7N65SJ3

Schede tecniche : DMG7N65SJ3.pdf

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