FDB52N20TM - MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDB52N20TM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
320570 Pieces
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Specifiche per FDB52N20TM
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDB52N20TM
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Serie : UniFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 357W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FDB52N20TM
Schede tecniche : FDB52N20TM.pdf
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