6A100GHB0G - DIODE GEN PURP 6A R-6

codice articolo del costruttore

6A100GHB0G

Numero parte interna

AX-6A100GHB0G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 6A R-6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2742555 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0.1023~~

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Specifiche per 6A100GHB0G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 6A100GHB0G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 6A R-6

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V

Corrente: media rettificata (Io) : 6A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 6A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : R6, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore : R-6

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 6A1 , 6A100

Documenti per 6A100GHB0G

Schede tecniche : 6A100GHB0G.pdf

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