IRF5803D2TR - MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF5803D2TR

Numero parte interna

AX-IRF5803D2TR

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

50412 Pieces

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Specifiche per IRF5803D2TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF5803D2TR

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Serie : FETKY™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.4A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 112 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1110pF @ 25V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF58

Documenti per IRF5803D2TR

Schede tecniche : IRF5803D2TR.pdf

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