AFT23H200-4S2LR6 - FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
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fabbricante
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FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per AFT23H200-4S2LR6
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AFT23H200-4S2LR6
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : LDMOS (Dual)
Frequenza : 2.3GHz
Guadagno : 15.3dB
Tensione - Test : 28V
Valutazione attuale : -
Figura di rumore : -
Corrente - Test : 500mA
Potenza - Uscita : 45W
Tensione: nominale : 65V
Pacchetto / caso : NI-1230-4LS2L
Pacchetto dispositivo fornitore : NI-1230-4LS2L
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per AFT23H200-4S2LR6
Schede tecniche : AFT23H200-4S2LR6.pdf
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