DMN3030LFG-7 - MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

codice articolo del costruttore

DMN3030LFG-7

Numero parte interna

AX-DMN3030LFG-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2454625 Pieces

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Specifiche per DMN3030LFG-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN3030LFG-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 751pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 900mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN3 , DMN303

Documenti per DMN3030LFG-7

Schede tecniche : DMN3030LFG-7.pdf

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