JANTXV1N5551US - DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
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fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
31122 Pieces
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Specifiche per JANTXV1N5551US
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : JANTXV1N5551US
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 400V
Corrente: media rettificata (Io) : 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore : D-5B
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per JANTXV1N5551US
Schede tecniche : JANTXV1N5551US.pdf
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