IPP04N03LB G - MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

codice articolo del costruttore

IPP04N03LB G

Numero parte interna

AX-IPP04N03LB G

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51204 Pieces

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Specifiche per IPP04N03LB G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPP04N03LB G

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5203pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 107W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3-1

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPP0 , IPP04N

Documenti per IPP04N03LB G

Schede tecniche : IPP04N03LB G.pdf

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