IPD025N06NATMA1 - MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IPD025N06NATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPD025N06NATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 26A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 95µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3W (Ta), 167W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IPD02 , IPD025N

Documenti per IPD025N06NATMA1

Schede tecniche : IPD025N06NATMA1.pdf

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