TSM2N100CH C5G - MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

codice articolo del costruttore

TSM2N100CH C5G

Numero parte interna

AX-TSM2N100CH C5G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

472325 Pieces

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Specifiche per TSM2N100CH C5G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TSM2N100CH C5G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.85A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 625pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 77W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-251 (IPAK)

Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TSM2 , TSM2N10

Documenti per TSM2N100CH C5G

Schede tecniche : TSM2N100CH C5G.pdf

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