IRF640NLPBF - MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

codice articolo del costruttore

IRF640NLPBF

Numero parte interna

AX-IRF640NLPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

228090 Pieces

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Specifiche per IRF640NLPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF640NLPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 18A TO-262

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1160pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 150W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-262

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF64

Documenti per IRF640NLPBF

Schede tecniche : IRF640NLPBF.pdf

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