SQS966ENW-T1_GE3 - MOSFET N-CHAN 60V

codice articolo del costruttore

SQS966ENW-T1_GE3

Numero parte interna

AX-SQS966ENW-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHAN 60V

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1092430 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per SQS966ENW-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQS966ENW-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHAN 60V

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 572pF @ 25V

Potenza - Max : 27.8W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8W

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8W

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQS96 , SQS966EN

Documenti per SQS966ENW-T1_GE3

Schede tecniche : SQS966ENW-T1_GE3.pdf

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