STL19N65M5 - MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT

codice articolo del costruttore

STL19N65M5

Numero parte interna

AX-STL19N65M5

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

266345 Pieces

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Specifiche per STL19N65M5

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STL19N65M5

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT

Serie : MDmesh™ V

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta), 12.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1240pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 90W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerFlat™ (8x8) HV

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STL , STL19

Documenti per STL19N65M5

Schede tecniche : STL19N65M5.pdf

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