BSZ215CHXTMA1 - MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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913200 Pieces
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Specifiche per BSZ215CHXTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSZ215CHXTMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel Complementary
Caratteristica FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 419pF @ 10V
Potenza - Max : 2.5W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TSDSON-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : BSZ2 , BSZ215

Documenti per BSZ215CHXTMA1

Schede tecniche : BSZ215CHXTMA1.pdf

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