BSZ215CHXTMA1 - MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

codice articolo del costruttore

BSZ215CHXTMA1

Numero parte interna

AX-BSZ215CHXTMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

913200 Pieces

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Specifiche per BSZ215CHXTMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSZ215CHXTMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N and P-Channel Complementary

Caratteristica FET : Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.1A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 110µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 419pF @ 10V

Potenza - Max : 2.5W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TSDSON-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSZ2 , BSZ215

Documenti per BSZ215CHXTMA1

Schede tecniche : BSZ215CHXTMA1.pdf

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