AS4C64M16MD1-5BIN - IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per AS4C64M16MD1-5BIN

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AS4C64M16MD1-5BIN
fabbricante : Alliance Memory, Inc.
Descrizione : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria : 1Gb (64M x 16)
Frequenza di clock : 200MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns
Tempo di accesso : 5ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 60-FBGA (8x10)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : AS4C6 , AS4C64M1

Documenti per AS4C64M16MD1-5BIN

Schede tecniche : AS4C64M16MD1-5BIN.pdf

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