IXFT18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

codice articolo del costruttore

IXFT18N100Q3

Numero parte interna

AX-IXFT18N100Q3

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

42360 Pieces

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Specifiche per IXFT18N100Q3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXFT18N100Q3

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Serie : HiPerFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4890pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 830W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-268

Pacchetto / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXFT , IXFT18

Documenti per IXFT18N100Q3

Schede tecniche : IXFT18N100Q3.pdf

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