IXTM35N30 - POWER MOSFET TO-3

codice articolo del costruttore

IXTM35N30

Numero parte interna

AX-IXTM35N30

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

POWER MOSFET TO-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22687 Pieces

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Specifiche per IXTM35N30

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTM35N30

fabbricante : IXYS

Descrizione : POWER MOSFET TO-3

Serie : GigaMOS™

Stato parte : Last Time Buy

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-204AE

Pacchetto / caso : TO-204AE

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTM

Documenti per IXTM35N30

Schede tecniche : IXTM35N30.pdf

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