TK12E80W,S1X - MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

codice articolo del costruttore

TK12E80W,S1X

Numero parte interna

AX-TK12E80W,S1X

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

141690 Pieces

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Specifiche per TK12E80W,S1X

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK12E80W,S1X

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Serie : DTMOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 570µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 300V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 165W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TK12E80W,S1X

Schede tecniche : TK12E80W,S1X.pdf

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