APTM100DA18CT1G - MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

codice articolo del costruttore

APTM100DA18CT1G

Numero parte interna

AX-APTM100DA18CT1G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52452 Pieces

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Specifiche per APTM100DA18CT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTM100DA18CT1G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Serie : POWER MOS 8™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 216 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 570nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 14800pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 657W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SP1

Pacchetto / caso : SP1

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTM1 , APTM100

Documenti per APTM100DA18CT1G

Schede tecniche : APTM100DA18CT1G.pdf

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