SI5857DU-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI5857DU-T1-E3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI5857DU-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Serie : LITTLE FOOT®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 10V
Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) : 2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® ChipFet Dual
Pacchetto / caso : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI5857DU-T1-E3
Schede tecniche : SI5857DU-T1-E3.pdf
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