CMG06(TE12L,Q,M) - DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
4359965 Pieces
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Specifiche per CMG06(TE12L,Q,M)
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CMG06(TE12L,Q,M)
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Corrente: media rettificata (Io) :
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Velocità :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
-
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
SOD-128
Pacchetto dispositivo fornitore :
M-FLAT (2.4x3.8)
Temperatura operativa - Giunzione :
-40°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CMG06(TE12L,Q,M)
Schede tecniche :
CMG06(TE12L,Q,M).pdf
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