FDMB3800N - MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDMB3800N
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1221540 Pieces
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Specifiche per FDMB3800N
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDMB3800N
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Serie :
PowerTrench®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
465pF @ 15V
Potenza - Max :
750mW
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDMB3800N
Schede tecniche :
FDMB3800N.pdf
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