FDMB3800N - MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET

codice articolo del costruttore

FDMB3800N

Numero parte interna

AX-FDMB3800N

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1221540 Pieces

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Specifiche per FDMB3800N

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDMB3800N

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 465pF @ 15V

Potenza - Max : 750mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-MLP, MicroFET (3x1.9)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDM , FDMB

Documenti per FDMB3800N

Schede tecniche : FDMB3800N.pdf

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